Intel представила новый способ компоновки транзисторов, который сохранит закона Мура

 Intel представила новый способ компоновки транзисторов, который сохранит закона Мура

⛰ На конференции IEDM компания Intel показала многоуровневую вертикальную компоновку комплементарных полевых транзисторов. Технология обещает рост числа транзисторов на одном процессоре до триллиона к 2030 году.

📈 Для начала в 2024 году Intel планирует выпустить транзистор RibbonFET Gate-All-Around (GAA). У него будет 4 канала в виде горизонтальных нанопластин, расположенных друг над другом. Каналы полностью окружат одним затвором. Затем в компании перейдут к вертикальной компоновке с шагом затвора порядка 60 нанометров, располагая транзисторы друг над другом.

Также IT-гигант презентовал:
▪️ питание транзисторов через обратную сторону подложки — это, в частности, позволит поднять тактовую частоту;
▪️ технологию производства транзисторов из нитрида галлия на одной подложке с обычными транзисторами, что полезно для силовой электроники;
▪️ прототипы транзисторов из дихалькогенидов переходных металлов (которые в идеале могут помочь предела тразисторов размерами до 10 нм) и первые в мире 2D PMOS-транзистор с полным затвором (GAA) и 2D PMOS-транзистор на пластине диаметром 300 мм.

По словам представителей Intel, наступает «Эра Ангстрема» и компания сможет обеспечить «масштабирование и эффективную подачу энергии для устройств следующего поколения».
_______
Источник | #quantradar
@F_S_C_P